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상세 정보 |
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| 케이스: | PG-TO 252-3 | 전극: | 삼 |
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| 극성: | 표를 하는 | 설치 위치: | 어떤 |
| 강조하다: | schottky 높은 현재 다이오드,쇼트 키 배리어 다이오드 |
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제품 설명
IPD70R1K4P7S 시리즈 700V CoolMOS P7 힘 트랜지스터 마당 효과 MOS 관
특징
• 아주 낮은 FOM RDS (위에) *Qg 및 RDS (위에) *Eoss 때문에 매우 낮은 손실
• 우수한 열 행동
• 통합 ESD 보호 다이오드
• 낮은 엇바꾸기 손실 (Eoss)
• 제품 확인 acc. JEDEC 기준
이익
• 비용 경쟁적인 기술
• 저온
• 높은 ESD ruggedness
• 더 높은 전환 빈도에 효율성 이익을 가능하게 합니다
• 고성능 조밀도 디자인과 작은 형태 인자를 가능하게 합니다
잠재적인 신청
충전기에서 사용되는 Flyback 지세학을 위해 예를 들면 추천하는,
신청, 등을 점화하는 접합기.
| 모수 | 가치 | 단위 |
| VDS @ Tj=25°C | 700 | V |
| 최대 RDS (위에) | 1.4 | Ω |
| Qg의 typ | 4.7 | NC |
| ID의 맥박 | 8.2 | A |
| Eoss @ 400V | 0.6 | μJ |
| V (GS) 토륨, typ | 3 | A |
| ESD 종류 (HBM) | 1C | / |
| 타자를 치십시오/주문 코드 | 포장 | 표를 하기 | 관련 연결 |
| IPD70R1K4P7S | PG-TO 252-3 | 70S1K4P7 | 부록 A를 보십시오 |
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