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상세 정보 |
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| 케이스: | TO220FP | 전극: | 삼 |
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| 극성: | 표를 하는 | 설치 위치: | 어떤 |
| 하이 라이트: | schottky 높은 현재 다이오드,쇼트 키 배리어 다이오드 |
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제품 설명
800V CoolMOSª P7 힘 트랜지스터 IPA80R1K4P7 MOS 관
특징
• 제일에서 종류 FOM RDS (위에) * Eoss; 감소된 Qg, Ciss 및 Coss
• 제일에서 종류 DPAK RDS (위에)
• 3V의 제일에서 종류 V (GS) 토륨과 ±0.5V의 가장 작은 V (GS) 토륨 변이
• 통합 제너다이오드 ESD 보호
• 완전 적격 acc. 산업 신청을 위한 JEDEC
• 완전히 낙관된 포트홀리로
이익
• 제일에서 종류 성과
• 고성능 조밀도를 가능하게 해서 낮춥니다 디자인하고, BOM 저축
조립 비용
• 평행선에와 몰게 쉬운
• ESD를 감소시켜서 더 나은 생산 수확량은 실패를 관련시켰습니다
• 더 적은 생산 문제점 그리고 감소된 분야 반환
• 디자인의 미조정을 적당한 부속을 선정하게 쉬운
잠재적인 신청
LED를 위한 단단하고 연약한 엇바꾸기 flyback 지세학을 위해 추천하는
점화, 저출력 충전기 및 접합기의 오디오, 보조 힘
산업 힘. 소비자 신청에 있는 PFC 단계를 위해 또한 적당한
그리고 태양.
| 모수 | 가치 | 단위 |
| VDS @ Tj=25°C | 800 | V |
| 최대 RDS (위에) | 1.4 | Ω |
| Qg.typ | 10 | NC |
| ID | 4 | A |
| Eoss@500V | 0.9 | μJ |
| VGS (토륨), typ | 3 | V |
| ESD 종류 (HBM) | 2 | / |
| 타자를 치십시오/주문 코드 | 포장 | 표를 하기 | 관련 연결 |
| IPA80R1K4P7 | PG-TO 220 FullPAK | 80R1K4P7 | 부록 A를 보십시오 |
차원은 형 섬광, 돌출 또는 문 숫돌을 포함하지 않습니다.
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